Infineon CoolMOSTM 800V Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Stock No.:
- 259-1576
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP08N80C3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,564.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,814.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 + | THB71.299 | THB3,564.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1576
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP08N80C3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOSTM 800V | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOSTM 800V | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon coolmostm power transistor it is switching application this is industrial application with high DC bulk voltage. It is qualified according to JEDEC1 for target applications.
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Ultra low gate charge
Ultra low effective capacitances
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOSTM 800V Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO220-3 SPP08N80C3XKSA1
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 SPP06N80C3XKSA1
- Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R060CFD7XKSA1