Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Stock No.:
- 259-1574
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP06N80C3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,713.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,903.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 + | THB54.272 | THB2,713.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1574
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP06N80C3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS^TM | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS^TM | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon coolmostm power transistor it is switching application this is industrial application with high DC bulk voltage. It is qualified according to JEDEC1 for target applications.
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Ultra low gate charge
Ultra low effective capacitances
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 SPP06N80C3XKSA1
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO-247 SPW55N80C3FKSA1
- Infineon CoolMOSTM 800V Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOSTM 800V Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO220-3 SPP08N80C3XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3