Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 35 A, 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- RS Stock No.:
- 258-3839
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB62,792.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB67,187.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 7,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB25.117 | THB62,792.50 |
| 5000 - 5000 | THB22.605 | THB56,512.50 |
| 7500 + | THB20.345 | THB50,862.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3839
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 71W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 71W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-T power-transistor is power MOSFET for automotive applications. It has 175°C operating temperature.
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD038N06NF2SATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T022S7XTMA1