Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 288 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R007CM8XTMA1

RS Stock No.:: 348-993
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R007CM8XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 288 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R007CM8XTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,354.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,449.63

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB1,354.79
10 - 99	THB1,219.21
100 +	THB1,124.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 348-993
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R007CM8XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	288A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPD
	Package Type	PG-HDSOP-22
	Mount Type	Surface
	Pin Count	22
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1249W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 288A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPD
	Package Type PG-HDSOP-22
	Mount Type Surface
	Pin Count 22
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1249W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS

Datasheet - IPDQ60R007CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPD Series MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 288A Continuous Drain Current - IPDQ60R007CM8XTMA1

This MOSFET is a power-switching transistor designed for high-voltage, high-current applications in surface-mounted electronics. It operates across a wide temperature range and is intended for use where rapid switching and substantial continuous current handling are required in demanding electrical systems.

Features and Benefits:

• 600V drain voltage enables high-voltage system compatibility
• 7 mΩ low on-resistance reduces conduction losses
• 288A continuous current supports high-current loads
• 1249W power dissipation allows sustained thermal handling
• 37 nC typical gate charge enables faster switching transitions
• 30V gate tolerance protects against gate overdrive excursions

Applications

• Used for power supplies in industrial equipment
• Suitable for motor-drive stages in traction systems
• Ideal for high-current converters in renewable installations
• Can be used for DC-DC conversion in telecom racks
• Used with high-temperature electronics in automotive subsystems

What package type should designers expect for PCB layout?

It is supplied in a 22-pin PG-HDSOP-22 surface-mount package suitable for compact board layouts and thermal pad arrangements.

How does the device perform in elevated ambient conditions?

The component is specified to operate up to 150 °C, allowing use in high-temperature environments with appropriate thermal management.

What gate-drive considerations are required for switching?

The gate must be driven within ±30V limits and the typical gate charge of 37 nC should be accounted for when sizing the driver to achieve desired switching speeds.

Is the device suitable for low-temperature applications?

The part is rated down to -55 °C, enabling deployment in cold-climate systems with assured electrical performance.