Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

RS Stock No.:: 262-5867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD038N06NF2SATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)

THB27.522

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29.449

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

790 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 40	THB27.522	THB275.22
50 - 90	THB26.697	THB266.97
100 - 240	THB25.362	THB253.62
250 - 990	THB23.586	THB235.86
1000 +	THB21.464	THB214.64

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 262-5867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD038N06NF2SATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Datasheet - IPD038N06NF2SATMA1

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	PG-TO252-3
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Channel Mode	Enhancement
Transistor Material	SiC
Number of Elements per Chip	2

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง