Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

RS Stock No.:: 260-5129
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N06S2L23ATMA3
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB193.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB206.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,475 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB38.64	THB193.20
50 - 95	THB37.48	THB187.40
100 - 245	THB35.978	THB179.89
250 - 995	THB34.18	THB170.90
1000 +	THB32.128	THB160.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 260-5129
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N06S2L23ATMA3
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	PG-TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type PG-TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon IPD Series MOSFET, 55V Maximum Drain-Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - IPD30N06S2L23ATMA3

This MOSFET is a surface-mount N-channel power transistor designed for high-current switching and power-management roles. It operates across a wide ambient span suitable for industrial thermal environments and is offered in a Compact TO-252 style package for board-level assembly. The device meets restricted-substance standards for electronic components.

Features and Benefits:

• 23mΩ Rds(on) reduces conduction losses during high-current operation
• 30A continuous drain current supports demanding power delivery
• 55V drain-source rating enables use in medium-voltage systems
• Surface-mount TO-252 package permits Compact PCB layouts
• -55°C to 175°C operating range maintains functionality across extremes

Applications

• Suitable for DC power distribution and load switching
• Ideal for motor-driver stages in Compact converters
• Used for thermal-tolerant industrial control electronics
• Can be used for power management in telecom equipment
• Suitable for high-current switch stage in power supplies

What mounting method does it require?

It is intended for surface-mount assembly using a PG-TO-252 footprint.

Which channel polarity does it employ?

It uses an N-channel conduction mode for switching control.

Is it approved for restricted-substance compliance?

It has RoHS approval for use in applications requiring restricted-substance adherence.

What is the maximum continuous current it can handle?

It is rated for a continuous drain current of 30A.