Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB162.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB174.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,490 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB32.53THB162.65
50 - 95THB31.554THB157.77
100 - 245THB30.29THB151.45
250 - 995THB28.776THB143.88
1000 +THB27.048THB135.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-5129
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD30N06S2L23ATMA3
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

23mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. Its maximum power dissipation is 100 W. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

N channel enhancement mode

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง