Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3
- RS Stock No.:
- 260-5128
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB45,977.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB49,195.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB18.391 | THB45,977.50 |
| 5000 + | THB18.361 | THB45,902.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-5128
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon IPD Series MOSFET, 55V Maximum Drain-Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - IPD30N06S2L23ATMA3
This MOSFET is a surface-mount N-channel power transistor designed for high-current switching and power-management roles. It operates across a wide ambient span suitable for industrial thermal environments and is offered in a Compact TO-252 style package for board-level assembly. The device meets restricted-substance standards for electronic components.
Features and Benefits:
• 23mΩ Rds(on) reduces conduction losses during high-current operation
• 30A continuous drain current supports demanding power delivery
• 55V drain-source rating enables use in medium-voltage systems
• Surface-mount TO-252 package permits Compact PCB layouts
• -55°C to 175°C operating range maintains functionality across extremes
• 30A continuous drain current supports demanding power delivery
• 55V drain-source rating enables use in medium-voltage systems
• Surface-mount TO-252 package permits Compact PCB layouts
• -55°C to 175°C operating range maintains functionality across extremes
Applications
• Suitable for DC power distribution and load switching
• Ideal for motor-driver stages in Compact converters
• Used for thermal-tolerant industrial control electronics
• Can be used for power management in telecom equipment
• Suitable for high-current switch stage in power supplies
• Ideal for motor-driver stages in Compact converters
• Used for thermal-tolerant industrial control electronics
• Can be used for power management in telecom equipment
• Suitable for high-current switch stage in power supplies
What mounting method does it require?
It is intended for surface-mount assembly using a PG-TO-252 footprint.
Which channel polarity does it employ?
It uses an N-channel conduction mode for switching control.
Is it approved for restricted-substance compliance?
It has RoHS approval for use in applications requiring restricted-substance adherence.
What is the maximum continuous current it can handle?
It is rated for a continuous drain current of 30A.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 55 V N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 60 V N TO-252 IPD220N06L3GATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 30 V N TDSON IPD30N03S2L20ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 100 V N TO-252 IPD130N10NF2SATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 200 V N TO-252 IPD320N20N3GATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 650 V N TO-252 IPD60R600PFD7SAUMA1
