Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, -30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1

RS Stock No.:: 258-3830
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD068P03L3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, -30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB46,195.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB49,427.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB18.478	THB46,195.00
5000 - 5000	THB17.923	THB44,807.50
7500 +	THB17.206	THB43,015.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3830
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD068P03L3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD068P03L3GATMA1

Infineon IPD Series MOSFET, 30V Maximum Drain-Source Voltage, 70A Maximum Continuous Drain Current - IPD068P03L3GATMA1

This MOSFET is a surface-mount power transistor designed for N-channel switching in Compact assemblies. It operates reliably across a wide temperature range and is suitable where low conduction losses and high current handling are required. The device meets RoHS requirements and is supplied in a TO-252 package intended for efficient PCB mounting.

Features and Benefits:

• 11mΩ Rds(on) delivers reduced conduction losses
• 70A continuous current supports high-load applications
• -55°C minimum operating temperature enables cold-start reliability
• 1.2V forward voltage improves switching efficiency
• TO-252 surface package simplifies thermal connection

Applications

• Suitable for DC-DC converter output stage
• Ideal for motor driver half-bridge assemblies
• Used with power supplies in Compact layouts
• Can be used for high-current switching modules
• Suitable for board-level power distribution

What is the device’s channel configuration?

It uses an N-channel conduction mode suitable for low-side switching.

Which mounting style does it require on the board?

It is a surface-mount component supplied in a TO-252 package for soldered PCB attachment.

Does it comply with environmental restrictions?

The component is RoHS-compliant, indicating adherence to restricted hazardous substances requirements.

What is the maximum voltage it can tolerate between drain and source?

The maximum drain-source voltage rating is -30V.

What characteristic defines its suitability for high-current use?

A low on-resistance of 11mΩ combined with a 70A continuous current rating provides the electrical capacity for heavy-load operation.