Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1
- RS Stock No.:
- 258-3831
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD068P03L3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB143.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB153.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,645 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB28.70 | THB143.50 |
| 10 - 95 | THB27.838 | THB139.19 |
| 100 - 245 | THB26.724 | THB133.62 |
| 250 - 495 | THB25.388 | THB126.94 |
| 500 + | THB23.864 | THB119.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3831
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD068P03L3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel enhancement mode field-effect transistor is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Enhancement mode
Logic level
Avalanche rated
Fast switching
Dv/dt rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 4.4 A N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 2.6 A N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 650 V N TO-252 IPD60R210PFD7SAUMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 2.6 A N TO-252 IPD50R3K0CEAUMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 4.4 A N TO-252 IPD60R950C6ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 30 V N TDSON
