Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 244-0879
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD650P06NMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB59,327.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB63,480.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB23.731 | THB59,327.50 |
| 5000 - 5000 | THB22.544 | THB56,360.00 |
| 7500 + | THB21.417 | THB53,542.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-0879
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD650P06NMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.
P-Channel
Very low on-resistance RDS(on)
100% avalanche tested
Normal Level
Enhancement mode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD650P06NMATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R750P7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD50N10S3L16ATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 75 V P, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 75 V P, 3-Pin TO-252 IPD380P06NMATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-252