Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V SOT-223
- RS Stock No.:
- 257-9393
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFL4310TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB24,320.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB26,022.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB9.728 | THB24,320.00 |
| 5000 + | THB9.172 | THB22,930.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9393
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFL4310TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead-Free | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFL series is the 100V single n channel IR mosfet in a SOT-223 package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SOT-223 IRFL4310TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML0100TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
