Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF

RS Stock No.:: 827-3994
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFL4105TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB390.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB417.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,280 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB19.517	THB390.34
640 - 1240	THB19.03	THB380.60
1260 +	THB18.737	THB374.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-3994
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFL4105TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.1W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Width	3.7 mm
	Height	1.8mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-44-458

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.1W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Width 3.7 mm
	Height 1.8mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-44-458

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง