Infineon HEXFET Fifth Generation Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 55 V SOT-223
- RS Stock No.:
- 257-5538
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-532
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFL014NTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB26,645.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,510.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB10.658 | THB26,645.00 |
| 5000 + | THB10.066 | THB25,165.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5538
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-532
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFL014NTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | HEXFET Fifth Generation | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.16Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series HEXFET Fifth Generation | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.16Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead-Free | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Industry standard surface mount package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Fifth Generation Type N-Channel MOSFET 55 V SOT-223 IRFL014NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SOT-223 IRFL4310TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223