Infineon HEXFET Fifth Generation Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 55 V SOT-223 IRFL014NTRPBF

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB267.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB286.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 4,930 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB26.743THB267.43
50 - 90THB26.198THB261.98
100 - 240THB20.545THB205.45
250 - 990THB20.116THB201.16
1000 +THB13.02THB130.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-5817
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFL014NTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET Fifth Generation

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.16Ω

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Lead-Free

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface mount package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง