Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 4.4 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL024NTRPBF

RS Stock No.:: 168-8745
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLL024NTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 4.4 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL024NTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,715.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB28,572.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,572.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
2500 - 2500	THB11.429	THB28,572.50	-
5000 - 7500	THB11.086	THB27,715.00	THB1,715.00
10000 +	THB10.753	THB26,882.50	THB6,760.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-8745
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLL024NTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SOT-223
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +16V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.1W
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.7mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.739mm
	Length	6.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SOT-223
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.1W
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.7mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.739mm
	Length 6.7mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 4.4 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL024NTRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง