Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-5826
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6276TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB183.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB195.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,570 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB18.307 | THB183.07 |
| 50 - 90 | THB17.757 | THB177.57 |
| 100 - 490 | THB17.047 | THB170.47 |
| 500 - 1990 | THB16.195 | THB161.95 |
| 2000 + | THB15.223 | THB152.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5826
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6276TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 9.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 9.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface-mount power package
Low RDS(on) in a small package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5803TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML6346TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN