Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 22 A, 20 V Enhancement PQFN IRLHS6242TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9444
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6242TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB30,184.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB32,296.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB7.546 | THB30,184.00 |
| 8000 + | THB7.115 | THB28,460.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9444
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6242TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 9.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 9.6W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLHS series is the 20V N channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Low RDS (on) in a small package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6242TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRFH6200TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHM620TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V PQFN