Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN
- RS Stock No.:
- 257-5572
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6276TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB35,112.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,568.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB8.778 | THB35,112.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5572
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6276TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 9.6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 9.6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface-mount power package
Low RDS(on) in a small package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRFH6200TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHM620TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6
