Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB35,112.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB37,568.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 +THB8.778THB35,112.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-5572
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLHS6276TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Power Dissipation Pd

9.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

2 mm

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface-mount power package

Low RDS(on) in a small package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง