Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -3.4 A, -40 V, 6-Pin TSOP-6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
257-9291
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF5803TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

TSOP-6

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -40V single p channel power mosfet in a TSOP 6 (Micro 6) package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง