Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 49 A, 20 V PQFN IRFH6200TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB139,612.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB149,384.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 +THB34.903THB139,612.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-9376
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFH6200TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

49A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

155nC

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRFH series is the 20V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard surface mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง