Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 15 A, 600 V, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 256-7410
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB15N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,314.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,616.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB86.289 | THB4,314.45 |
| 100 - 450 | THB81.438 | THB4,071.90 |
| 500 - 950 | THB70.461 | THB3,523.05 |
| 1000 + | THB59.994 | THB2,999.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7410
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB15N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.28Ω | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 180W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series E | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.28Ω | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 180W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay Series E Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 15A Continuous Drain Current - SIHB15N60E-GE3
This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-conversion tasks in industrial electronics. It operates across a wide temperature range and is supplied in a Compact surface-mount package suitable for thermal management in board-level power assemblies.
Features and Benefits:
• 600V drain rating enables high-voltage switching applications • 15A continuous current supports medium-power loads • 0.28 Ω on-resistance reduces conduction losses • 78 nC typical gate charge allows predictable switching behaviour • 180W power dissipation supports elevated load handling • 150 °C maximum operating temperature endures high thermal stress
Applications
• Suitable for high-voltage power supplies and converters • Ideal for motor-drive switching in automation systems • Used for industrial lighting and ballast-control circuits • Can be used for energy management and inverter stages • Used with heat-sinked boards in power-distribution modules
What gate voltage limits should be observed during design?
The device must not be subjected to gate-source voltages exceeding 30V to avoid gate-oxide stress.
How should thermal conditions be managed on a PCB?
Design a dedicated copper pad and heat-spreading area for the TO-263 package to maintain junction temperatures below rated limits under specified power dissipation.
What environmental temperature range can components be expected to tolerate?
It is specified to operate down to -55 °C and up to +150 °C, making it suitable for harsh ambient conditions and elevated junction scenarios.
Is this device matched to automotive specification levels?
It is not classified as an automotive-grade component and should be evaluated accordingly for vehicle applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 600 V TO-263 SIHB15N60E-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V TO-263
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V TO-263 SIHB24N65E-GE3
- Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V TO-263
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Vishay Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin Super-247
- Vishay 3-Pin TO-263, Surface
