Vishay SI1427EDH Type P-Channel MOSFET, -2 A, -20 V, 6-Pin SC-70 SI1427EDH-T1-GE3

RS Stock No.:: 256-7340
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1427EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SI1427EDH Type P-Channel MOSFET, -2 A, -20 V, 6-Pin SC-70 SI1427EDH-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB21,102.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,578.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB7.034	THB21,102.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7340
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1427EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-20V
	Series	SI1427EDH
	Package Type	SC-70
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.165Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -20V
	Series SI1427EDH
	Package Type SC-70
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.165Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SI1427EDH-T1-GE3

Vishay SI1427EDH Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 2A Maximum Continuous Drain Current - SI1427EDH-T1-GE3

This p-channel MOSFET is a surface-mount semiconductor intended for switching and power-management roles in compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for demanding conditions and is provided in a low-profile package for space-constrained board designs.

Features and Benefits:

• Low Rds(on) 0.165Ω for reduced conduction losses
• Continuous drain current rating of 2A for medium-power switching
• Drain-source voltage rating of 20V enables low-voltage systems
• Typical gate charge 7.6 nC for predictable switching performance
• Forward voltage of -1.2V minimises voltage drop during conduction
• RoHS compliant for use in regulated manufacturing environments

Applications

• Suitable for battery-protection and load-switch circuits
• Ideal for handheld and portable device power paths
• Used with DC-DC converters in compact assemblies
• Can be used for reverse-current blocking in power rails
• Suitable for low-voltage motor-control gate arrangements

What package considerations affect board layout?

It is supplied in an SC-70 package with six pins, permitting tight pad arrangements and straightforward reflow soldering for dense surface-mount designs.

How does thermal performance influence cooling requirements?

Maximum power dissipation is 2.8 W, so PCB copper area and thermal vias should be sized to remove heat when operating near that dissipation level.

What gate limitations must designers observe?

The gate must not exceed 8V relative to the source to avoid damaging the device, and the typical gate charge of 7.6 nC guides driver selection.

How does the device cope with extreme ambient conditions?

It is rated to function from -55 °C up to +150 °C, permitting use where wide thermal endurance is required.