Vishay Type P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V, 3-Pin TO-252 IRF9Z34SPBF
- RS Stock No.:
- 256-7281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z34SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB385.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB412.335
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 985 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB77.072 | THB385.36 |
| 10 - 20 | THB69.334 | THB346.67 |
| 25 - 95 | THB67.94 | THB339.70 |
| 100 - 495 | THB56.022 | THB280.11 |
| 500 + | THB46.106 | THB230.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z34SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor third generation power mosfets utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power mosfets are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of application. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4.
Advanced process technology
Surface mount
175 °C operating temperature
Fast switching
P-channel
Fully avalanche rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type P-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9Z34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9Z34NPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD15N06S2L64ATMA2
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-252 IRFR9014PBF
