Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD15N06S2L64ATMA2

RS Stock No.:: 214-9033
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD15N06S2L64ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD15N06S2L64ATMA2

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB407.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB435.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

13,420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB20.35	THB407.00
640 - 1240	THB19.841	THB396.82
1260 +	THB19.535	THB390.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9033
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD15N06S2L64ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-252
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	64mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Power Dissipation Pd	47W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Length	6.5mm
	Width	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-252
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Power Dissipation Pd 47W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Length 6.5mm
	Width 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD15N06S2L64ATMA2

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 55V Drain Source Voltage, 19A Continuous Drain Current - IPD15N06S2L64ATMA2

This MOSFET is a power switching transistor designed for high-demand automotive and industrial environments, providing controlled conduction of current in N-channel enhancement mode across a wide temperature range. It is suitable for surface‑mounted PCB designs where efficient switching and durability under elevated temperatures are required.

Features and Benefits:

• 55 V maximum drain‑source voltage for demanding voltage margins
• 19 A continuous drain current for high‑current switching performance
• 64 mΩ maximum Rds(on) for reduced conduction losses
• 47 W maximum power dissipation for robust thermal handling
• 11 nC typical gate charge for fast switching transitions
• 20 V maximum gate‑source rating for flexible gate‑drive levels

Applications

• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for DC-DC converter switch stages
• Used with motor‑drive circuits in vehicles
• Can be used for high‑speed load switching in control units
• Appropriate for surface‑mount power management on Compact boards

What temperature range can it operate within?

It functions across −55 °C to 175 °C, accommodating low‑temperature starts and high‑temperature engine‑bay conditions.

How does the package support PCB assembly?

The component is supplied in a TO‑252 surface‑mount package sized 6.5 x 6.22 mm which suits automated soldering processes.

What is the channel configuration and mode of operation?

It uses an N‑type channel and operates in enhancement mode requiring a positive gate‑source voltage to conduct.

What forward conduction characteristic should designers expect?

Expect a forward voltage of 1.3 V during conduction which factors into voltage‑drop and thermal calculations.

Are there limits on gate‑drive magnitude?

The gate‑source voltage must not exceed 20 V to prevent gate‑region overstress.