Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD15N06S2L64ATMA2
- RS Stock No.:
- 214-9033
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB348.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB372.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 16,900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | THB17.401 | THB348.02 |
| 640 - 1240 | THB16.965 | THB339.30 |
| 1260 + | THB16.704 | THB334.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9033
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 64mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 47W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 47W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.5mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. These are robust packages with superior quality and reliability.
It is Automotive AEC Q101 qualified
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD14N06S280ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S223ATMA2