onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1

RS Stock No.:: 254-7667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTBL045N065SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB405.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB434.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,978 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB405.65
10 - 99	THB372.22
100 - 249	THB357.04
250 - 499	THB314.49
500 +	THB308.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 254-7667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTBL045N065SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NTB
	Package Type	HPSOF-8L
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Maximum Power Dissipation Pd	117W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NTB
	Package Type HPSOF-8L
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Maximum Power Dissipation Pd 117W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTBL045N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL

The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Zero reverse recovery current of body diode

Ultra low gate charge

High speed switching and low capacitance

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง