onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode, 19.5 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 205-2493
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG160N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB155,936.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB166,852.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB194.921 | THB155,936.80 |
| 1600 - 2400 | THB190.684 | THB152,547.20 |
| 3200 + | THB186.446 | THB149,156.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2493
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG160N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 225mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 3.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Width | 9.7 mm | |
| Height | 4.3mm | |
| Length | 15.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 225mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 3.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Width 9.7 mm | ||
Height 4.3mm | ||
Length 15.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
The ON Semiconductor SiC N-channel 1200V MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Continuous Drain Current rating is 19.5A
Drain to source on resistance rating is 224mohm
Ultra Low Gate Charge
High Speed Switching and Low Capacitance
100% Avalanche Tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG160N120SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG025N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG040N120SC1