onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 254-7660
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG022N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB362,723.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB388,113.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB453.404 | THB362,723.20 |
| 1600 - 1600 | THB444.336 | THB355,468.80 |
| 2400 + | THB435.449 | THB348,359.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-7660
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG022N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 148nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 148nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
The ON Semiconductor NTB series of planar sic mosfets is optimized for fast switching applications with a planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
100% avalanche tested
Improved power density
Gate drive voltage 15V to 18V
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG025N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263