Vishay Symmetric Dual N Channel 2 Type N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS SIZF640DT-T1-GE3

RS Stock No.:: 252-0298
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIZF640DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Symmetric Dual N Channel 2 Type N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS SIZF640DT-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB439.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB469.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,975 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB87.828	THB439.14
50 - 95	THB75.086	THB375.43
100 - 245	THB64.924	THB324.62
250 - 995	THB63.636	THB318.18
1000 +	THB46.948	THB234.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 252-0298
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIZF640DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	159A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAIR 6 x 5FS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00137Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Symmetric Dual N Channel
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 159A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAIR 6 x 5FS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00137Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Symmetric Dual N Channel
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SIZF640DT-T1-GE3

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Symmetric dual N-channel

Flip chip technology optimal thermal design

High side and low side MOSFETs form optimized

Combination for 50 % duty cycle

Vishay Symmetric Dual N Channel 2 Type N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS SIZF640DT-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง