Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET, 15 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B
- RS Stock No.:
- 250-0228
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB48,958.752
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52,385.856
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | THB2,039.948 | THB48,958.75 |
| 48 - 48 | THB1,972.63 | THB47,343.12 |
| 72 + | THB1,907.533 | THB45,780.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0228
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | FS55MR12W1M1H_B11 | |
| Package Type | AG-EASY1B | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 114mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series FS55MR12W1M1H_B11 | ||
Package Type AG-EASY1B | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 114mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B 1200 V / 55 mΩ sixpack module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, NTC and PressFIT Contact Technology.
Low inductive design
Low switching losses
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
PressFIT contact technology
Integrated NTC temperature sensor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon FP15R12W1T7BOMA1 IGBT, 15 A 1200 V AG-EASY1B-711
- Infineon FS35R12W1T7B11BOMA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-EASY1B-711