STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 248-9686
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP60N043DM9
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB16,091.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,217.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB321.823	THB16,091.15
100 - 100	THB312.168	THB15,608.40
150 +	THB302.803	THB15,140.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 248-9686
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP60N043DM9
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220
	Series	STP
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	245W
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	10.4 mm
	Height	4.6mm
	Standards/Approvals	UL
	Length	28.9mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220
	Series STP
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 245W
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 10.4 mm
	Height 4.6mm
	Standards/Approvals UL
	Length 28.9mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STP60N043DM9

The STMicroelectronics product is a N channel power MOSFET based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS on per area coupled with a fast recovery diode. The silicon based DM9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The fast recovery diode featuring very low recovery charge, time and RDS on makes this fast switching super junction power MOSFET tailored for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase shift converters.

Fast recovery body diode

Worldwide best RDS on per area among silicon based fast recovery devices

Low gate charge, input capacitance and resistance

100 percent avalanche tested

Extremely dv/dt ruggedness

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง