STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5
- RS Stock No.:
- 239-6330
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD86N3LH5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB288.91
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB309.135
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB57.782 | THB288.91 |
| 10 - 95 | THB56.666 | THB283.33 |
| 100 - 245 | THB55.558 | THB277.79 |
| 250 - 495 | THB54.442 | THB272.21 |
| 500 + | THB53.326 | THB266.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-6330
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD86N3LH5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | STD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 2.4mm | |
| Width | 6.2 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series STD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL | ||
Length 6.6mm | ||
Height 2.4mm | ||
Width 6.2 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.
Low on-resistance RDSon
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
30 V Vdss
80 A Id
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 35 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 35 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N240K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N240K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65N045M9
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60N043DM9
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 480 V Depletion, 3-Pin TO-252