STMicroelectronics STD N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5

RS Stock No.:: 239-6330
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD86N3LH5
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STD N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 1%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB288.91

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB309.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,885 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 5	THB57.782	THB288.91	-
10 - 95	THB56.666	THB283.33	1%
100 - 245	THB55.558	THB277.79	3%
250 - 495	THB54.442	THB272.21	5%
500 +	THB53.326	THB266.63	7%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-6330
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD86N3LH5
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	STD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	70W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.4mm
	Length	6.6mm
	Standards/Approvals	UL
	Width	6.2mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series STD
	Package Type TO-252
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 70W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.4mm
	Length 6.6mm
	Standards/Approvals UL
	Width 6.2mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STD86N3LH5

The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.

Low on-resistance RDSon

High avalanche ruggedness

Low gate drive power losses

30 V Vdss

80 A Id

STMicroelectronics STD N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง