STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 239-5543
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP80N240K6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB7,583.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,114.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB151.677	THB7,583.85
100 - 100	THB150.861	THB7,543.05
150 +	THB150.046	THB7,502.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-5543
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP80N240K6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	STP
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	UL
	Length	28.9mm
	Height	4.6mm
	Width	10.4 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series STP
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals UL
	Length 28.9mm
	Height 4.6mm
	Width 10.4 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STP80N240K6

The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. This MOSFET is Recommended for flyback topology, based applications such as LED lighting, chargers and adapters. Provide more power density reducing both BOM cost and size of the board.

Worldwide best RDS(on) x area

Worldwide best FOM (figure of merit)

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง