STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6

RS Stock No.:: 275-1356
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP80N600K6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB184.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB197.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 110 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB92.37	THB184.74
10 - 18	THB82.86	THB165.72
20 +	THB81.27	THB162.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 275-1356
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP80N600K6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-220
	Series	STP
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	86W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	10.4 mm
	Length	28.9mm
	Height	4.6mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-220
	Series STP
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 86W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 10.4 mm
	Length 28.9mm
	Height 4.6mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - STP80N600K6

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Ultra low gate charge

100 percent avalanche tested

Zener protected

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง