STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N900K6
- RS Stock No.:
- 285-5915
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N900K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB80.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB86.03
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 72 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB80.40 |
| 5 - 9 | THB50.43 |
| 10 - 24 | THB45.94 |
| 25 + | THB42.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 285-5915
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N900K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | STP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 900mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Length | 28.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series STP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 4.6mm | ||
Length 28.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best RDS(on) x area
Worldwide best FOM (figure of merit)
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N900K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N240K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65N045M9
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60N043DM9
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220