DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMTH10H015SK3-13
- RS Stock No.:
- 246-7561
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH10H015SK3-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB325.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB348.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,490 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB32.525 | THB325.25 |
| 50 - 90 | THB31.452 | THB314.52 |
| 100 - 240 | THB30.415 | THB304.15 |
| 250 - 990 | THB29.411 | THB294.11 |
| 1000 + | THB28.441 | THB284.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-7561
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH10H015SK3-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.014Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.29mm | |
| Length | 6.58mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.014Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.29mm | ||
Length 6.58mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in TO252 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It is rated to +175°C and ideal for high ambient temperature environments. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.
Maximum drain to source voltage is 100 V and maximum gate to source voltage is ±20 V Its low RDS(ON) helps to minimize power losses Its low Qg helps to minimizes switching losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3710ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710ZPBF
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2905ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
