Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3710ZSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 162-3302
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB520.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB556.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 130 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB52.051 | THB520.51 |
| 200 - 390 | THB50.749 | THB507.49 |
| 400 + | THB49.969 | THB499.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 162-3302
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IRF3710ZS | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IRF3710ZS | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of Applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMTH10H015SK3-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2905ZTRPBF