Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710ZPBF
- RS Stock No.:
- 165-7604
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3710ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,294.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,455.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB45.888 | THB2,294.40 |
| 100 - 150 | THB44.891 | THB2,244.55 |
| 200 + | THB43.893 | THB2,194.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7604
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3710ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 8.77mm | |
| Width | 4.69 mm | |
| Length | 10.54mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 8.77mm | ||
Width 4.69 mm | ||
Length 10.54mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
Motor Control MOSFET
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Synchronous Rectifier MOSFET
A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2905ZTRPBF
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3710ZSTRLPBF
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMTH10H015SK3-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
