Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9931
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJ4106DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB294.072
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB314.656
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | THB73.518 | THB294.07 |
| 60 - 96 | THB55.08 | THB220.32 |
| 100 - 236 | THB49.01 | THB196.04 |
| 240 - 996 | THB48.11 | THB192.44 |
| 1000 + | THB47.213 | THB188.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9931
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJ4106DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8L | |
| Series | SIJ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0083Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69.4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.13mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8L | ||
Series SIJ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0083Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69.4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.13mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3
- Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SIB4122DK-T1-GE3