Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 162-3273
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3710ZSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB29,900.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,992.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB37.375	THB29,900.00
1600 - 2400	THB36.254	THB29,003.20
3200 +	THB35.166	THB28,132.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 162-3273
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3710ZSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	59A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	IRF3710ZS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	160W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	82nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 59A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series IRF3710ZS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 160W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of Applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง