Infineon ISK Type N-Channel MOSFET, 55 A, 25 V, 6-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 240-6378
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISK036N03LM5
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB40,950.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,830.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB13.65 | THB40,950.00 |
| 6000 - 6000 | THB13.346 | THB40,038.00 |
| 9000 + | THB13.043 | THB39,129.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-6378
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISK036N03LM5
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | ISK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type PQFN | ||
Series ISK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 power MOSFET 30 V, 3.6 mΩ, smallest form factor in PQFN 2x2 package. With the new BIC OptiMOS™ 5 in 25V and 30V product family Infineon offers a Best in class solution for efficiency in a small form factor, making it the perfect solution for applications such as wireless charging, load switches and low power DCDC applications. The small 4 mm2 footprint PQFN 2x2 package, combined with outstanding electrical performance contributes towards form factor improvement in end applications, featuring low RDS on of 3.6 mΩ.
Optimized for highest performance and power density
100% avalanche tested
Superior thermal resistance for 2x2 package
N-channel
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISK Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN ISK036N03LM5
- Infineon ISK Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN
- Infineon ISK Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN ISK024NE2LM5
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN IRFHS8242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN IRFHS9351TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin PQFN
