Infineon ISK Type N-Channel MOSFET, 55 A, 25 V, 6-Pin PQFN ISK024NE2LM5
- RS Stock No.:
- 240-6377
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISK024NE2LM5
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB137.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB147.245
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 14,610 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB27.522 | THB137.61 |
| 10 - 95 | THB24.508 | THB122.54 |
| 100 - 245 | THB21.084 | THB105.42 |
| 250 - 495 | THB19.166 | THB95.83 |
| 500 + | THB15.882 | THB79.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-6377
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISK024NE2LM5
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | ISK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type PQFN | ||
Series ISK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 power MOSFET 25 V, 2.4 mΩ, smallest form factor in PQFN 2x2 package. With the new BIC OptiMOS™ 5 in 25V and 30V product family Infineon offers a best-in-class solution for efficiency in a small form factor, making it the perfect solution for applications such as wireless charging, load switches and low power DCDC applications. The small 4 mm2 footprint PQFN 2x2 package, combined with outstanding electrical performance contributes towards form factor improvement in end applications, featuring low RDSon of 2.4 mΩ.
Superior thermal resistance for a PQFN 2x2 package
Optimized for highest performance and power density
Industrys lowest RDSon in smallest PQFN 2x2 package
N-channel
100% Avalanche tested
Pb-free lead plating; RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISK Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN
- Infineon ISK Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN ISK036N03LM5
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN IRFHS8242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN IRFHS9351TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin PQFN IRLHS2242TRPBF
