Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, -5.1 A, -30 V, 6-Pin PQFN IRFHS9351TRPBF

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFHS9351TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

-5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

2mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRFHS series is the -30V dual p channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount power package

Low RDS (on) in a small package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง