Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V PQFN IRL80HS120
- RS Stock No.:
- 217-2640
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL80HS120
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB557.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB596.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 11,860 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 980 | THB27.888 | THB557.76 |
| 1000 - 1980 | THB27.191 | THB543.82 |
| 2000 + | THB26.773 | THB535.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2640
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL80HS120
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 42mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 11.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1 mm | |
| Length | 2.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 11.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1 mm | ||
Length 2.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Available in three different voltage classes (60V, 80V and 100V), Infineons new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.
Lowest FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching
Logic level compatibility
Tiny PQFN 2x2mm package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN
