Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 6-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 257-5535
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFHS8242TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB26,752.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,624.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB6.688 | THB26,752.00 |
| 8000 + | THB6.299 | THB25,196.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5535
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFHS8242TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2 mm | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2 mm | ||
Length 2mm | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Low RDSon (< 58 m)
Low thermal resistance to PCB (<12°C/W)
100% Rg tested
Low profile (<09 mm)
Industry-standard pinout
Compatible with existing surface mount techniques
RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen environmentally
MSL1, industrial qualification
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN IRFHS8242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN IRFHS9351TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET AUIRF7640S2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
