Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB49,816.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB53,304.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 8,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 - 4000THB12.454THB49,816.00
8000 - 12000THB12.081THB48,324.00
16000 +THB11.718THB46,872.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
217-2639
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRL80HS120
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

11.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

1 mm

Length

2.1mm

Height

2.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon Available in three different voltage classes (60V, 80V and 100V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.

Lowest FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching

Logic level compatibility

Tiny PQFN 2x2mm package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง