Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V, 6-Pin PQFN IRL80HS120

RS Stock No.:: 217-2639
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL80HS120
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V, 6-Pin PQFN IRL80HS120

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB51,240.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,840.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB12.81	THB51,240.00
8000 - 12000	THB12.426	THB49,704.00
16000 +	THB12.053	THB48,212.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2639
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL80HS120
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	11.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.1mm
	Length	2.1mm
	Width	1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 11.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.1mm
	Length 2.1mm
	Width 1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRL80HS120

Infineon HEXFET Series MOSFET, 80V Maximum Drain Source Voltage, 12.5A Maximum Continuous Drain Current - IRL80HS120

This MOSFET is a Compact N-channel switching transistor designed for surface-mount power applications where controlled conduction and thermal endurance are required. It operates across a wide temperature range and is intended for use in Compact PQFN packages that balance power handling with a small footprint.

Features and Benefits:

• 80V maximum drain-source voltage enables high-voltage switching capability
• 42mΩ Rds(on) minimises conduction losses during heavy loads
• 12.5A continuous drain current supports sustained current delivery
• 7nC typical gate charge allows efficient gate-drive control
• 11.5W maximum power dissipation manages thermal stress in confined layouts
• 20V gate-source limit permits common gate-drive voltages safely

Applications

• Suitable for DC-DC converters in Compact power supplies
• Ideal for motor driver stages requiring high-voltage switching
• Used for battery management circuits in power-dense designs
• Can be used for synchronous rectification in power rails
• Used with thermally demanding systems across wide temperature swings

What thermal range can it operate within?

It functions from -55°C up to 175°C, allowing use in high-temperature environments.

How many pins are available for PCB routing?

It is supplied in a six-pin PQFN layout to simplify surface-mount routing.

What is the forward voltage and its implication?

The forward voltage is 1.2V, which informs loss and drop calculations in conduction paths.

Which package and mounting style should designers expect?

The device is delivered in a PQFN package intended for surface mounting on Compact PCBs.

What channel type and switching role does it fulfil?

It is an N-channel device suited for low-side or high-side switching topologies depending on circuit requirements.