Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 7 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SIHA21N80AEF-GE3
- RS Stock No.:
- 239-8625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHA21N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB199.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB212.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 50 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB99.50 | THB199.00 |
| 10 - 18 | THB96.51 | THB193.02 |
| 20 - 24 | THB92.65 | THB185.30 |
| 26 - 98 | THB88.03 | THB176.06 |
| 100 + | THB82.75 | THB165.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHA21N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 850V | |
| Series | EF | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.22Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 850V | ||
Series EF | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.22Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay E series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Low switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 850 V Depletion, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 850 V Depletion, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 850 V Depletion, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SIHA15N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SiHA17N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 SIHG026N60EF-GE3