Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SiHA17N80AEF-GE3

RS Stock No.:: 239-8622
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHA17N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SiHA17N80AEF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB213.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB228.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,050 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB106.925	THB213.85
10 - 18	THB105.02	THB210.04
20 - 24	THB102.90	THB205.80
26 - 98	THB100.78	THB201.56
100 +	THB98.875	THB197.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8622
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHA17N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Series	EF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.31Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	47nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Series EF
	Package Type TO-220
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.31Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 850V Drain Source Voltage, 6.5A Drain Current - SiHA17N80AEF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for demanding electrical and automotive contexts. It operates as an N-channel depletion device in a through-hole TO-220 surface package, providing a Compact solution for power conversion and control where robust voltage handling and thermal margin are required.

Features and Benefits:

• 850V maximum drain-source voltage for high-voltage applications • 6.5A continuous drain current enabling sustained load handling • 0.305 Ω Rds minimises conduction losses under load • 34W power dissipation supports elevated thermal budgets • 63 nC typical gate charge for predictable switching control • ±150 °C/-55 °C operating range offers wide temperature endurance

Applications

• Suitable for high-voltage DC-DC converter stages in industrial systems • Ideal for inverter front ends and power-factor circuits • Used for switch-mode power supplies in automation equipment • Can be used for automotive power electronics meeting AEC‑Q101 criteria • Used with gate drivers requiring defined charge characteristics

What gate-voltage limits should be observed during design?

The device tolerates gate excursion up to 30 V

designs should ensure gate‑drive circuits remain within this limit to prevent gate-oxide stress.

How should thermal management be implemented for reliable operation?

Given a 34W dissipation rating, attach an appropriate heatsink to the TO‑220 tab and ensure sufficient airflow to maintain junction temperatures within safe bounds.

What considerations apply to switching losses and driver selection?

With a typical gate charge of 63 nC, choose a driver capable of sourcing and sinking the required Peak currents to achieve the desired rise/fall times while managing switching losses.

Is the device suitable for automotive qualification processes?

It conforms to AEC‑Q101 standards for automotive MOSFETs, making it appropriate for designs that require automotive‑grade components.

What electrical polarity and channel behaviour should designers expect?

The transistor is an N‑channel depletion device, so circuit topology must account for its channel mode when implementing normally‑on or normally‑off switching arrangements.