Toshiba Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
- RS Stock No.:
- 236-3582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 200 ชิ้น)*
THB467.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB500.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 27,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | THB2.337 | THB467.40 |
| 400 - 600 | THB2.289 | THB457.80 |
| 800 - 1000 | THB2.244 | THB448.80 |
| 1200 - 2800 | THB2.104 | THB420.80 |
| 3000 + | THB1.913 | THB382.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | US6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | -0.79V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 2.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type US6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf -0.79V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2 mm | ||
Height 0.9mm | ||
Length 2.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.
Storage temperature range −55 to 150 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin US6
- Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU
- Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementLF(T
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 300 mA 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
