Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU
- RS Stock No.:
- 171-2523
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6N7002KFU
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB272.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB291.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | THB2.722 | THB272.20 |
| 800 - 1400 | THB2.654 | THB265.40 |
| 1500 + | THB2.613 | THB261.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2523
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM6N7002KFU
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.75Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.79V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2mm | |
| Width | 1.25 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Forward Voltage Vf -0.79V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2mm | ||
Width 1.25 mm | ||
Height 0.9mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin US6
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 VLF(T
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G