Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

RS Stock No.:: 171-2410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SSM6N7002KFU
ผู้ผลิต:: Toshiba

Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB5,235.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,601.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB1.745	THB5,235.00
6000 - 9000	THB1.707	THB5,121.00
12000 +	THB1.669	THB5,007.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-2410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SSM6N7002KFU
ผู้ผลิต:: Toshiba

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.75Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.39nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-0.79V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	0.9mm
	Length	2mm
	Width	1.25 mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -0.79V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 0.9mm
	Length 2mm
	Width 1.25 mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: TH

High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง