Toshiba Dual 2 N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
171-2410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SSM6N7002KFU
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

-0.79V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.25mm

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Length

2mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง